ترانزیستور c945
| نس نیمه هادی | سیلیسیوم (Si) |
|---|---|
| قطبیت | NPN |
| حداکثر توان مصرفی (Pc) | 0.4 W |
| حداکثر ولتاژ کلکتور-بیس (Vcb) | 60 V |
| حداکثر ولتاژ کلکتور-امیتر (Vce) | 50 V |
| حداکثر ولتاژ امیتر-بیس (Veb) | 5 V |
| حداکثر جریان کلکتور(Ic) | 150 mA |
| حداکثر دمای محل پیوند (Tj) | 150 C |
| انتقال فرکانس (Ft) | 200 MHz |
| ظرفیت خازنی کلکتور (Cc) | 3 pF |
| حداقل بهره جریان (Hfe) | 40 |
| قاب ترانزیستور | TO-92 |
| کاربردها | general purpo |
بردهای تغذیه به سفارش مشتری
- تأمین قدرت خروجی از یک ولتاژ DC بریده شده به صورت AC در قطعه مغناطیسی به صورت ذخیره انجام میشود؛ بنابراین میتوان یک سیم پیچ اضافه کرد که خروجی دیگری را حاصل میشود و نسبت به روشهای دیگر ارزانتر و سادهتر خواهد بود.
- باعث افزایش راندمان ترانزیستور در نواحی قطع و اشباع خواهد شد.
- همچنین به خاطر وجود افزایش فرکانس کاری، حدوداً ۵۰ تا ۶۰ کیلو هرتز اجزای ذخیره کننده انرژی کوچکتر انتخاب میشود.
- درست برخلاف منابع خطی میتوان در توانهای خیلی بالا از منبع تغذیه سوئیچینگ بهره برد.